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                泛林集团推出晶圆应力管理解决方案以支持3D NAND技术的持续发展

                发布时间:2019年08月16日 09:08    发布者:eechina
                关键词: 3D NAND , VECTOR DT , 泛林
                半导体制造设备及服务供应商泛林集团宣布推出全新解决方案,帮助客户提高芯片存储密度,以满足人工智能和机器学习等应用的需求。通过推出用于背面薄膜沉积的设备VECTOR DT和用于去除背面和边缘薄膜的湿法刻蚀设备EOS GS,泛林集团进一步拓展了其应力管理产品组合。

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                高深宽比沉积和刻蚀工艺是实现3D NAND技如果能夠一口氣刺透九個雷劫漩渦术持续发展的关键因素。随着工艺层数【的增加,其累积的物理应力越来越大,如何控制由此引起的晶圆翘曲已成为制造过程中的一个主要挑战。严重的晶圆翘曲会影响光刻焦深、层与层之间的應該有三分之二吧对准、甚至导卐致图形结构畸变,从而降低产品的良率。为了提高整体良率,需要对整个制造工艺中多个步骤在晶圆、晶片和图形层面的应力进行细致管理,甚至因此放弃一些可提升产品性能的工艺步骤。

                VECTOR DT系统是泛林集团等离子体增强化学气相沉积(PECVD)产品系列的最新产品,旨在为控制3D NAND制造中的晶圆翘曲提供一种高性价比的解决功法方案。在完全不接触晶圆正面的情况下,VECTOR DT可在晶圆背面沉积一层可调节、高应力、高质量的薄膜,一步到位地拉平翘曲的晶圆,改善光刻结果,减少由翘辦法曲引起的诸多问题。VECTOR DT问世之初便得以广泛采用,随着主流3D NAND产品向96层以』上推进,其机台安装数量将会持续增长。

                除了沉积高应力薄膜,泛林集团还提供了背面刻蚀的技术,客户可根据工艺需要,在3D NAND制造流程中灵活地调整晶圆不服氣应力。泛林集团的湿法刻蚀产品EOS GS拥有业界领先的湿法刻蚀均匀度,能在充分保护晶圆正面的前提下,同时去除背面和边缘的薄膜,与VECTOR DT形成有力互补。作为晶圆翘曲管理解决方案的一部分,泛林集团的EOS GS也被全球存储芯片制造商广泛采用。

                泛林集团副总裁兼沉积产品事业部总经理Sesha Varadarajan表示:“随着客户产品的存储单元层数持续、大幅的增加,累积位置就是安全區域应力和晶圆翘曲会超过光刻设备处理能力的极限。为了达到预期良率,实现单位字节成本降◥低的路线图,将应力引起的畸变降至最低至关重要。伴随VECTOR DT和EOS GS产品的推出,我们扩大了现有的应力管理解决方案组合,能够全面管理晶圆生◥产中的应力,支持客户纵向技术的持续发展。”
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